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扩散硅压力传感器的温度补偿方法 霍尼韦尔压力变送器
发布时间:  2012/12/25 12:06:08

扩散硅压力传感器的温度补偿方法
扩散硅压力传感器的温度补偿一般分内补偿和外补偿。内补偿通过传感器的设计、制造工艺, 封装材料、形式来减小零点和满量程的温度系数, 特别是通过控制扩散阻条的掺杂浓度, 使传感器的满量程温度系数控制在0. 75% FS/ 全温区, 在一般应用中做到满量程免补偿。由于内补偿有局限性, 所以必须进行外补偿。外补偿的形式多样, 有通过固定电阻网络的两点
式补偿( 零点和满量程的温度系数为0. 75% FS/ 70 ! ,0~ 70 ! ) ; 通过热敏电阻网络的三点式补偿( 零点和满量程的温度系数为0. 5% FS/ 55 ! , - 30~ + 80 ! ; 通过单片机的智能多点补偿( 智能压力变送器) 等。近年来, 集信号处理、温度补偿于一体的压阻式传感器专用信号调理芯片( SSC) 以其高集成、多功能, 大大提高了扩散硅压力传感器的性能价格比。这类芯片的温度补偿方法与单片机的智能多点补偿类似, 通过温度传感器检测环境温度, 温度值经A/ D 转换作为地址指针,储存在存贮器中此地址的零点和满量程的温度修正系数经D/ A 转换成模拟量, 修正传感器输出信号中零点和满量程的温度漂移。这类芯片的存贮器的类型有ROM、EPROM ( SCA2095) 、E2PROM ( MAX1457) 型;有片外, 也有集成在片内( CA2095) 的。温度传感器有的集成在片内, 有的外接, 还有的利用扩散硅压力传感器桥路电阻的温度敏感性来感应温度。

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