本章简述了MEMS霍尼韦尔变送器的工作原理，对传感器硼硅膜的形状选择、受力分析进行了讨论，并通过ANSYS仿真，给出了0~0.67MPa(0~90psi)压力范围内输入压力和电容的关系曲线;另外，结合义齿的形状，设计了传感器的整体结构。

　　由此，根据间隙宽度的变化量△d可求得电容变化量的△C。

　　式中为两极板之间的介电常数，d为两极板之间的距离，A为两极板互相覆盖的有效面积。

2.1 MEMS霍尼韦尔变送器的工作原理

硼硅膜则是利用硅片的双面光刻、扩散和各向异性腐蚀技术等工艺来完成制作的。该霍尼韦尔变送器的腔体是由硅一玻璃键合封接而成的，形成了具有结构稳定的霍尼韦尔变送器。电容器的两平板间的距离可由硅片腐蚀的深度控制，硼硅膜片与玻璃电极之间的间隙较小，这使得霍尼韦尔变送器灵敏度高。

　　MEMS霍尼韦尔变送器采用薄膜受力的变形来测定外界压力的变化，具有良好的近似零的温度系数，所采用的薄膜一般都在所在的边缘上固定，这种薄膜结构的电容可以使用平行板电容公式来对起始电容作粗略的计算。

上电极由硅上扩散的硼硅膜组成，下电极上再生长一层氧化硅的绝缘层。

　　霍尼韦尔变送器工作原理是利用硅膜片在压力的作用下产生变形，使得两极板之间的距离发生变化，从而使电容产生变化，以此作为测量的基础。霍尼韦尔变送器的结构示意图如图2-1所示。传感器功能部分是由下电极、绝缘层、上电极三部分组成的，其中下电极溅射在玻璃衬底上，